MOSFET IRFU9220PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014509526
- Артикул
- IRFU9220PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Through Hole
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 700 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Vishay IRFU9220 представляет собой P-канальный силовой МОП-транзистор с напряжением сток-исток (Vds), равным -200 В.Напряжение затвор-исток (VGS) равно 20 В.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 3 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | IRFR/U |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.39 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2.38(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | IPAK |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 110 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.8 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 7.3 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7.3 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 6.3 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 11(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.3(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 150 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.6 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 970 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1500@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 14 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 2.5 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 33@25V |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |