Моя заявка (0)
IRFU9110PBF, MOSFETs P-Chan 100V 3.1 Amp

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025515520
Артикул
IRFU9110PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Channel Type
P Channel
Package Type
IPAK(TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Цена по запросу
(от 171,36 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы третьего поколения Vishay Semiconductor обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономичности.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeP Channel
Package TypeIPAK(TO-251)
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation25Вт
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)2.5W;25W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)8.7nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)200pF@25V
Maximum Drain Source Voltage100 V
Continuous Drain Current (Id)3.1A
Drain Source On State Resistance1.2Ом
Maximum Continuous Drain Current3.1 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока3.1А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Крутизна характеристики, S0.97
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-251
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.2Ω@10V, 1.9A

Техническая документация