IRFU9024NPBF, Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002238780
- Артикул
- IRFU9024NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Q(g)
- 19 nC
- HTSUS
- 8541.29.0095
- V(DS)
- 175 V
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 300 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -55В, -11А, 38Вт, IPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Q(g) | 19 nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| V(DS) | 175 V |
| Width | 2.39mm |
| P(tot) | 38 W |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Package | Tube |
| R(thJC) | 50 K/W |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.73 mm |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.38 mm |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 12.7 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| I(D)at Tc=25°C | 8 A |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | IRFU9024 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 6.6A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 38 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 12.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 175 mΩ |
| кол-во в упаковке | 75 |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Другие названия товара № | SP001557756 |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 175 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |