IRFU7440PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 180А, 140Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539021
- Артикул
- IRFU7440PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon Technologies
- Fall Time
- 34 ns
- Packaging
- Tube
- Rise Time
- 39 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFU7440PBF от производителя INFINEON является высококачественным компонентом для схем, требующих надежного управления мощными нагрузками. Монтаж данного элемента осуществляется через технологию THT (сквозное отверстие), что обеспечивает прочное соединение с печатной платой. Транзистор характеризуется током стока в 180 А и напряжением сток-исток в 40 В, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах. Мощность устройства достигает 140 Вт, что свидетельствует о его способности справляться с высокими энергетическими нагрузками. Тип транзистора N-MOSFET указывает на отрицательный канал управления. Корпус IPAK гарантирует надежную работу и долговечность. Используйте IRFU7440PBF для решения ваших технических задач с максимальной эффективностью. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 180 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 140 Корпус IPAK
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Fall Time | 34 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 39 ns |
| Tradename | StrongIRFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.73 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 |
| Part # Aliases | SP001565158 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 134 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 140 W |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 51 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 180 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 280 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.9 V |