Моя заявка (0)

IRFU5410PBF, Транзистор P-МОП, полевой, 100В 13A 66Вт 0,205Ом TO251AA

IRFU5410PBF, Транзистор P-МОП, полевой, 100В 13A 66Вт 0,205Ом TO251AA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008513584
Артикул
IRFU5410PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.2
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
66Вт
Структура
P-МОП
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.2
Channel TypeP Channel
Power Dissipation66Вт
СтруктураP-МОП
Transistor PolarityP Channel
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage4V @ 250uA
Drain Source On State Resistance0.205Ом
Rds On - Drain-Source Resistance205mО© @ 7.8A,10V
Линейка ПродукцииHEXFET
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)66W
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C13A
Непрерывный Ток Стока13А
Рассеиваемая Мощность66Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-251AA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.205Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт66
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 205Ом

Техническая документация