IRFU5305PBF, Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002239175
- Артикул
- IRFU5305PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Series
- HEXFET
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 280 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-контактный (3 + язычка) IPAK-трубка
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Series | HEXFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.73 mm |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.38 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| RoHS Compliant | Yes |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | IPAK |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 63 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 63 |
| Typical Rise Time (ns) | 66 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 110000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 63(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 63(Max)10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 520 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Время нарастания | 66 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 31 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 5.9 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 39 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.3 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 29(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 13(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 71 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 31 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1200 25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 170 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 65 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 110 |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 250 25V |
| Крутизна характеристики, S | 8 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 50 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 64*40*52/1500 |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |