HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRFU4510PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034105946
- Артикул
- IRFU4510PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Family
- FETs-Single
- Series
- HEXFET®
- Category
- Discrete Semiconductor Products
- FET Type
- MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Цена по запросу
(от 253,69 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
Технические параметры
| Family | FETs-Single |
| Series | HEXFET® |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Packaging | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.73 mm |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 143W |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.38 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Online Catalog | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Package / Case | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Standard Package | 75 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Структура | N-Channel |
| PCN Assembly/Origin | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Additional Wafer Source 11/Nov/2014 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 38A, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | I-Pak |
| Тип продукта | MOSFET |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3031pF @ 50V |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 143 W |
| Другие названия товара № | SP001557766 |
| Id - непрерывный ток утечки | 63 A |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Крутизна характеристики, S | 62 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 56 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 143 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |