IRFU420APBF, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012548464
- Артикул
- IRFU420APBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Vishay Semiconductors
- Width
- 2.38 mm
- Height
- 6.22 mm
Цена по запросу
(от 237 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,3А; Idm: 10А; 83Вт; IPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Width | 2.38 mm |
| Height | 6.22 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Fall Time | 13 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 12 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.4 |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Vishay |
| Корпус | TO-251AA |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 83 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 3.3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 420 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ом |