Моя заявка (0)

IRFU3607PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 75В, 80А, 140Вт, IPAK, Серия HEXFET®

IRFU3607PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 75В, 80А, 140Вт, IPAK, Серия HEXFET®

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008513907
Артикул
IRFU3607PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
2.39mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
0.46
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 75В, 80А, 140Вт, IPAK, Серия HEXFET®

Технические параметры

Width2.39mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г0.46
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeIPAK(TO-251)
Mounting TypeThrough Hole
RoHS CompliantYes
СтруктураN-МОП
Transistor MaterialSi
Особенностибыстродействующий ключ
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation140 W
Typical Gate Charge @ Vgs56 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage75 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance9 mΩ
Maximum Continuous Drain Current80 A
Крутизна характеристики, S170
Пороговое напряжение на затворе-2…-4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация