IRFU320PBF, MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006235776
- Артикул
- IRFU320PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- Brand
- Vishay Semiconductors
Цена по запросу
(от 150,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 2А, 42Вт, IPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Width | 2.39 mm |
| Height | 6.22 mm |
| Length | 6.73 mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Technology | Si |
| Вес, г | 92 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Vishay |
| Configuration | Single |
| Package / Case | TO-251-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | IPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Power Dissipation | 42Вт |
| Структура | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 14 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Drain Source On State Resistance | 1.8Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.1 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1800 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Непрерывный Ток Стока | 3.1А |
| Рассеиваемая Мощность | 42Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 400В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251AA |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.8Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |