HEXFET N-Channel MOSFET, 9.4 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRFU120NPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014506161
- Артикул
- IRFU120NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 2.3mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFU120NPBF производства INFINEON – это надежный компонент для монтажа в отверстия (THT), предназначенный для использования в силовых устройствах. С током стока до 9,1 А и напряжением сток-исток до 100 В, данный N-MOSFET транзистор обеспечивает высокую эффективность. Оснащенный корпусом IPAK, он характеризуется мощностью в 39 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,21 Ом, что делает его оптимальным выбором для различных электронных применений. Применение модели IRFU120NPBF гарантирует устойчивую работу и долговечность ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 9.1 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 39 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.21 Корпус IPAK
Технические параметры
| Width | 2.3mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Корпус | IPAK(TO-251AA) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 210 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.4 A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.7 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 210 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |