IRFU024PBF, MOSFETs TO251 N-CH 60V 14A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004737103
- Артикул
- IRFU024PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 205,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор I-PAK
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | IRFR/U |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.39 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | IPAK |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Typical Fall Time (ns) | 42 |
| Typical Rise Time (ns) | 58 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 25(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 25(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 360 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 6.1 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.5 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 11(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 5.8(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 88 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 640@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 290 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 100@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 56 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 2.5 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 79@25V |
| Крутизна характеристики, S | 6.2 |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 50 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 V, +20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 100 mOhms |