Моя заявка (0)
IRFU014PBF, MOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025577749
Артикул
IRFU014PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Transistor: N-MOSFET

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.3
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeIPAK(TO-251)
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageIPAK
Maximum IDSS (uA)25
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Standard Package NameTO-251
Typical Fall Time (ns)19
Typical Rise Time (ns)50
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)11(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)11(Max)10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Output Capacitance (pF)160
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Continuous Drain Current7.7 A
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)13
Typical Gate to Drain Charge (nC)5.8(Max)
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Typical Gate to Source Charge (nC)3.1(Max)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)7.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)300 25V
Typical Reverse Recovery Charge (nC)200
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)200 10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Крутизна характеристики, S2.4
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация