IRFU014PBF, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017531872
- Артикул
- IRFU014PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 145,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы третьего поколения Vishay Semiconductor обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономичности.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.85 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | IPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Rise Time (ns) | 50 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11(Max)10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 160 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 5.8(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.1(Max) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 300 25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 200 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Крутизна характеристики, S | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |