HEXFET N-Channel MOSFET, 8.2 A, 30 V, 6-Pin TSOP-6 IRFTS8342TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014596584
- Артикул
- IRFTS8342TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 1.75mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 8,2А, 2Вт, TSOP6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.75mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSOP-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.8 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
| Maximum Drain Source Resistance | 29 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.2 A |
| Крутизна характеристики, S | 12 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.015 Ом |