StrongIRFET N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V, 3-Pin I2PAK IRFSL4410ZPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554131
- Артикул
- IRFSL4410ZPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- 1PCSNChannel
- Series
- StrongIRFET
Цена по запросу
(от 772,84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon Strong IRFET™ оптимизировано для работы с низким RDS (on) и высоким током.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | 1PCSNChannel |
| Series | StrongIRFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | I2PAK(TO-262) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-262 |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | I2PAK |
| Power Dissipation (Pd) | 230W |
| Typical Fall Time (ns) | 57 |
| Typical Rise Time (ns) | 52 |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 120nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.82nF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 97A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 230000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 83 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 83 10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.009 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Continuous Drain Current | 97 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 43 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 97 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4820 50V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9 10V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 170pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@150uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 97 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.2mΩ@10V, 58A |