Моя заявка (0)

IRFSL4010PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 180А, 375Вт, TO262

IRFSL4010PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 180А, 375Вт, TO262

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038725321
Артикул
IRFSL4010PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
Case
TO262
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 591 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный МОП-транзистор N-CH 100V 180A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для трубки TO-262

Технические параметры

TabTab
CaseTO262
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingTHT
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
TechnologyHEXFET®
Вес, г0.43
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Polarisationunipolar
ConfigurationSingle
Drain current180A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-262
Power dissipation375W
Process TechnologyHEXFET
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-МОП
Drain-source voltage100V
Standard Package NameI2PAK
Typical Fall Time (ns)77
Typical Rise Time (ns)86
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)375000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)143
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)143 10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)21
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)100
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)180
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)9575 50V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)4.7 10V
Крутизна характеристики, S189
Пороговое напряжение на затворе-2…-4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А180
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт375
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация