IRFSL11N50APBF, MOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006250287
- Артикул
- IRFSL11N50APBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2.39
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- IRFSL
- Высота
- 9.65 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Полевой транзистор IRFSL11N50APBF от производителя VISHAY представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, отличающийся монтажом THT. Этот транзистор характеризуется током стока 11 А, напряжением сток-исток 500 В и мощностью 190 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,55 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность в различных областях применения. Корпус I2PAK гарантирует надежность и долговечность использования. Модель IRFSL11N50APBF является идеальным выбором для разработчиков и инженеров, ищущих компоненты для мощных и эффективных решений. Код товара IRFSL11N50APBF подтверждает его уникальность и оригинальность производства VISHAY. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 11 Напряжение сток-исток, В 500 Мощность, Вт 190 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.55 Корпус I2PAK
Технические параметры
| Вес, г | 2.39 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | IRFSL |
| Высота | 9.65 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 51 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -1.4 V, +7 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |