IRFS9N60APBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 5,8А, 170Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070146185
- Артикул
- IRFS9N60APBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- D2PAK, TO263
- Width
- 9.65mm
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 366 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, 600 В, 9,2 А D2-PAK, Полярность транзистора: N-канальный, Постоянный ток стока Id:9,2 А, Напряжение источника стока Vds: 600 В, Сопротивление Rds(включено): 750 Мом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: 10 В, Пороговое напряжение Vgs:4 В, Нет. количество контактов: 3, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| Case | D2PAK, TO263 |
| Width | 9.65mm |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.49 |
| Gate charge | 49nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 5.8A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 170W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.75Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | 600V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 750 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.2 A |