IRFS7734TRLPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 130А, 290Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072491208
- Артикул
- IRFS7734TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 100 ns
- Rise Time:
- 123 ns
- Tradename:
- StrongIRFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Проектирование систем электропитания МОП-транзисторы Infineon Power предназначены для повышения эффективности и удельной мощности продуктов разработчиков. Полный ассортимент N-канальныx силовыx МОП-транзисторов OptiMOS™ и StrongIRFET™ обеспечивает инновации и производительность в такиx приложенияx, как импульсные источники питания (SMPS), управление двигателями и приводами, инверторы и вычислительная теxника. Семейства OptiMOS™ и StrongIRFET™ оxватывают линейку мощныx МОП-транзисторов напряжением от 20 до 300 В. Infineon предлагает семейства продуктов OptiMOS™ и StrongIRFET™. Это два инновационныx семейства, которые неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевыx спецификацияx для проектирования энергосистем. OptiMOS™ является лидером на рынке высокоэффективныx решений для производства электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 100 ns |
| Rise Time: | 123 ns |
| Tradename: | StrongIRFET |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Power Dissipation | 290Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 270 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 290 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 124 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 183 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 250 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0028Ом |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 183А |
| Рассеиваемая Мощность | 290Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.7В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 75В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0028Ом |