Моя заявка (0)
HEXFET MOSFET IRFS7734TRLPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030998852
Артикул
IRFS7734TRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
100 ns
Rise Time:
123 ns
Tradename:
StrongIRFET
Цена по запросу
(от 594,16 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный силовой МОП-транзистор Infineon на шестигранной основе в корпусе D2-Pak оптимизирован для обеспечения максимально широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:100 ns
Rise Time:123 ns
Tradename:StrongIRFET
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Power Dissipation290Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:270 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностинизковольтные mosfets для сильноточных применений
Pd - Power Dissipation:290 W
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:124 ns
Id - Continuous Drain Current:183 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:250 S
Drain Source On State Resistance0.0028Ом
Линейка ПродукцииHEXFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.7 V
Непрерывный Ток Стока183А
Рассеиваемая Мощность290Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.7В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Крутизна характеристики, S250
Напряжение Истока-стока Vds75В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263AB
Максимальная Рабочая Температура175 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0028Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт290
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация