IRFS7730TRLPBF, MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005402117
- Артикул
- IRFS7730TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.65mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 6
Цена по запросу
(от 461,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 174А, Idm: 984А, 375Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 271 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.6 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 246 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |