IRFS7437TRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 100А, 156Вт, PQFN5X6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048835711
- Артикул
- IRFS7437TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.65mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 230Вт |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 53 ns |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Qg - заряд затвора | 225 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.8 mΩ |
| Время нарастания | 70 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.0014Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 A |
| Линейка Продукции | StrongIRFET HEXFET |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 250А |
| Рассеиваемая Мощность | 230Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 A |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | 160 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 78 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.9 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0014Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 160 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |