Моя заявка (0)

IRFS7430TRL7PP, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 40В, 240А, 375Вт, D2PAK-7

IRFS7430TRL7PP, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 40В, 240А, 375Вт, D2PAK-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017539454
Артикул
IRFS7430TRL7PP
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
1PCSNChannel
Width
9.65mm
Series
HEXFET
Pin Count
7
Цена по запросу
(от 183,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Width9.65mm
SeriesHEXFET
Pin Count7
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK-7
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-МОП
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Power Dissipation (Pd)375W
Особенностинизковольтные mosfets для сильноточных применений
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation375 W
Typical Gate Charge @ Vgs305 nC @ 10 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)460nC@10V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)13.975nF@25V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Continuous Drain Current (Id)240A
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance750 μΩ
Maximum Continuous Drain Current522 A
Крутизна характеристики, S176
Пороговое напряжение на затворе3.9V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А240
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт375
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.75mΩ@10V, 100A

Техническая документация