HEXFET N-Channel MOSFET, 522 A, 40 V, 7-Pin D2PAK-7 IRFS7430TRL7PP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014488206
- Артикул
- IRFS7430TRL7PP
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 9.65mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 7
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 9.65mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK-7 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Power Dissipation (Pd) | 375W |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 305 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 460nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13.975nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 240A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 750 μΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 522 A |
| Крутизна характеристики, S | 176 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 522 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.75mΩ@10V, 100A |