HEXFET N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V, 3-Pin D2PAK IRFS4615TRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012776728
- Артикул
- IRFS4615TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 26 nC
- V(DS)
- 150 V
- Width
- 9.65mm
- P(tot)
- 144 W
Цена по запросу
(от 260,36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Q(g) | 26 nC |
| V(DS) | 150 V |
| Width | 9.65mm |
| P(tot) | 144 W |
| Series | HEXFET |
| Package | D2PAK |
| R(thJC) | 1.045 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 5 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 34.5 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 33 A |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | мощный высокоскоростной |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 144 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 144 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |