IRFS4610TRLPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002239187
- Артикул
- IRFS4610TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 790 ₽)
Минимальный заказ: 38 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 73А, 190Вт, D2PAK
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IRFS4610TRLPBF SP001568016 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 90 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 44A, 10V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Power Dissipation (Max) | 190W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 73 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3550 pF @ 50 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 73A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 73 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |