IRFS4510TRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8047967617
- Артикул
- IRFS4510TRLPBF
- Бренд
- International Rectifier
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 350 ₽)
Минимальный заказ: 244 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-контактный(2+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.65(Max)mm |
| Package Length | 10.67(Max)mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Maximum IDSS (uA) | 20 |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 28 |
| Typical Rise Time (ns) | 32 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 140000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 58 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 58@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 28 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 61 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3180@50V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 13.9@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 61 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |