Моя заявка (0)

IRFS4410ZTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A, TO263

IRFS4410ZTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A, TO263

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072994209
Артикул
IRFS4410ZTRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
11.3mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 173 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg

Технические параметры

Width11.3mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1
Длина6.5 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.3V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада57 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation230 W
Typical Gate Charge @ Vgs83 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора120 nC
Maximum Drain Source Resistance9 mΩ
Время нарастания52 ns
Maximum Continuous Drain Current97 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности230 W
Другие названия товара №SP001567800
Id - непрерывный ток утечки97 A
Размер фабричной упаковки800
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.140 S

Техническая документация