Моя заявка (0)

IRFS3207ZTRRPBF, Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IRFS3207ZTRRPBF, Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002245461
Артикул
IRFS3207ZTRRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
68 ns
Rise Time:
68 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 475 ₽)
Минимальный заказ: 173 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IRFS3207ZTRRPBF, SP001565050

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:68 ns
Rise Time:68 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Part # Aliases:IRFS3207ZTRRPBF SP001565050
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation300Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:170 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:170 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:280 S
Drain Source On State Resistance0.0033Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:4.1 mOhms
Линейка ПродукцииHEXFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:75 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Непрерывный Ток Стока120А
Рассеиваемая Мощность300Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Крутизна характеристики, S280
Напряжение Истока-стока Vds75В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0033Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А170
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация