HEXFET N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V, 3-Pin DPAK IRFS3207TRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019879856
- Артикул
- IRFS3207TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- 1
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 960 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный МОП-транзистор Infineon 75V HEXFET в корпусе D2-Pak. Улучшена лавинообразность затвора и динамическая надежность dV/ dt
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | 1 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IRFS3207TRLPBF SP001578312 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 180 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 330 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 170 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |