IRFS3006TRL7PP, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 60В, 293А, 375Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024644414
- Артикул
- IRFS3006TRL7PP
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.83mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 7
Цена по запросу
(от 500 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 60В, 293А, 375Вт, D2PAK
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 7 |
| Fall Time: | 69 ns |
| Rise Time: | 61 ns |
| Вес, г | 0.43 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK-7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 200 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 200 nC @ 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 118 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 293 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.1 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 293 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 293 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |