IRFS3004TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 240А; Idm: 1,31кА; 380Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024646198
- Артикул
- IRFS3004TRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon/IR
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Fall Time:
- 130 ns
Цена по запросу
(от 450 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon обладает улучшенной затворной, лавинной и динамической надежностью dV/ dt, а также полностью оxарактеризованными емкостными и лавинными значениями SOA.
Технические параметры
| Brand: | Infineon/IR |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 130 ns |
| Rise Time: | 220 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.71 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | PCB Monut |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IRFS3004TRLPBF SP001557246 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 160 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75mOhm @ 195A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 380 W |
| Power Dissipation (Max) | 380W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 340 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1170 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 340 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9200 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 240 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 380 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |