IRFS11N50APBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7А, 170Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070099198
- Артикул
- IRFS11N50APBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8542.39.00.01
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Military
- No
Цена по запросу
(от 293,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7А, 170Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1.49 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | IRFS |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.65(Max) |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 28 |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 170000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 52(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 52(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1423@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 520@10V |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |