Моя заявка (0)

IRFRC20TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK

IRFRC20TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт; DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017565982
Артикул
IRFRC20TRLPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Chan 600V 2.0 Amp

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.53
Длина6.73 mm
СерияIRFR/U
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Высота2.38 mm
Ширина6.22 mm
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)100
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-252
Вид монтажаSMD/SMT
Power Dissipation (Pd)2.5W
Typical Fall Time (ns)25
Typical Rise Time (ns)23
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-252-3
Continuous Drain Current (Id)2A
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)18(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)18(Max)10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)30
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Maximum Continuous Drain Current (A)2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)350 25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)4400 10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Размер фабричной упаковки3000
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.4Ω@10V, 1.2A

Техническая документация