Моя заявка (0)

IRFRC20PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,3А, 42Вт, DPAK

IRFRC20PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,3А, 42Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009007027
Артикул
IRFRC20PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,3А, 42Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.33
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусDPAK/TO-252AA
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)100
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Standard Package NameTO-252
Typical Fall Time (ns)25
Typical Rise Time (ns)23
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)18(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)18(Max)10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)30
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)2
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)350 25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)4400 10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация