IRFR9310TRPBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -400В, -1,1А, 50Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018954304
- Артикул
- IRFR9310TRPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -400В, -1,1А, 50Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 24 |
| Typical Rise Time (ns) | 10 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 50000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 13(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 13(Max) 10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 50 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 5.1 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 4 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 5(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.2(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 170 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.8 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 270 25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 640 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7000 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 7.2 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 8 25V |
| Крутизна характеристики, S | 0.91 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |