Моя заявка (0)
MOSFET IRFR9214PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014509537
Артикул
IRFR9214PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
PPAP
No
Width
6.22mm
Цена по запросу
(от 430,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Vishay IRFR9214 представляет собой P-канальный силовой МОП-транзистор с напряжением сток-исток (Vds), равным -250 В.Напряжение затвор-исток (VGS) равно 20 В.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
PPAPNo
Width6.22mm
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSi
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.4
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeDPAK(TO-252)
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width6.22(Max)
Package Height2.39(Max)
Package Length6.73(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)100
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP Channel; Continuous Drain Current Id
Standard Package NameTO-252
Typical Fall Time (ns)17
Typical Rise Time (ns)14
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation50 W
Typical Gate Charge @ Vgs14 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage250 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Power Dissipation (mW)50000
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)14(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)14(Max)@10V
Maximum Drain Source Resistance3 Ω
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)11
Maximum Continuous Drain Current2.7 A
Maximum Drain Source Voltage (V)250
Typical Turn-Off Delay Time (ns)20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)2.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)220@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)3000@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Крутизна характеристики, S0.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация