IRFR9210PBF, Power MOSFET, P Channel, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8414485092
- Артикул
- IRFR9210PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- IRFR
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.4
Цена по запросу
(от 197 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, КАНАЛ P, -200 В, -1,9 А, TO-252-3, Полярность транзистора: Канал P, Постоянный ток стока Id: -1,9 А, Напряжение источника стока Vds: -200 В, Сопротивление Rds(включено): 3 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: -10 В, Пороговое значение Напряжение Vgs: -2 В, соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | IRFR |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.9 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ом |