IRFR9120NTRPBF, MOSFET транзистор SP001557182 INF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032830867
- Артикул
- IRFR9120NTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.22mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.54
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Полевой транзистор IRFR9120NTRPBF от известного производителя INFINEON - это надежный компонент для современных электронных устройств. Устройство выполнено в удобном для монтажа SMD корпусе типа DPAK, что позволяет использовать его в плотно упакованных печатных платах. Транзистор отличается током стока 6,5 А и напряжением сток-исток 100 В, что обеспечивает его применение в высоковольтных схемах. При этом мощность устройства составляет 39 Вт, что гарантирует его эффективную работу даже в условиях интенсивных нагрузок. Модель IRFR9120NTRPBF, благодаря типу N-MOSFET, предоставляет превосходные характеристики по скорости переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 6.5 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 39 Корпус DPAK
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.54 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | DPAK |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 480 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A |
| Крутизна характеристики, S | 12 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 1.4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 480 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |