IRFR9024PBF-BE3, MOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063946898
- Артикул
- IRFR9024PBF-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Fall Time:
- 29 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики по сопротивлению 1,9 Мом в PowerPak ® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от стока до источника питания от 12 В до 200 В.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 29 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 68 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 5.3A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 280 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |