IRFR9024PBF, MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025574897
- Артикул
- IRFR9024PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Military
- No
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-Chan 60V 8.8 Amp
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 449 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | IRFR/U |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.38 mm |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 6.22(Max) |
| Package Height | 2.39(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 29 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 29 |
| Typical Rise Time (ns) | 68 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 360 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Время нарастания | 68 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.8 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 11(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 5.4(Max) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 570@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 320 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 280@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.8 A |
| Крутизна характеристики, S | 2.9 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.9 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |