IRFR9024NTRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, HEXFET, -55В, -11А, 38Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539012
- Артикул
- IRFR9024NTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.22mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFR9024NTRPBF от производителя INFINEON — высококачественный компонент для современной электроники. Модель выполнена в технологии SMD, что облегчает монтаж на печатные платы. С током стока 11 А и напряжением сток-исток 55 В, транзистор обеспечивает надежность и эффективность в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 38 Вт, что гарантирует его стабильную работу в широком диапазоне нагрузок. Тип N-MOSFET указывает на использование транзистора в качестве ключевого элемента для управления мощными нагрузками. Корпус DPAK позволяет эффективно рассеивать тепло, что крайне важно для компонентов с высокой мощностью. Используйте IRFR9024NTRPBF для обеспечения высокой производительности ваших электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 11 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 38 Корпус DPAK
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.44 |
| Длина | 6.73мм |
| Серия | HEXFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.39мм |
| Ширина | 6.22мм |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Размеры | 6.73 x 6.22 x 2.39мм |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-38 Вт |
| Описание | 55V, 11A P-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Transistor Material | Si |
| Тип канала | A, P |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 38 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Производитель | Infineon |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 175 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Заряд затвора, нКл | 19 |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.5 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Типичная входная емкость при Vds | 350 pF @ -25 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 38 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -11 |
| Типичное время задержки включения | 13 ns |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 11 А |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 50*38*39/4000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 175 мΩ |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 175 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 175 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |