P-Channel MOSFET, 5.3 A, 50 V DPAK IRFR9010TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030793563
- Артикул
- IRFR9010TRPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули поверxностного монтажа Vishay Semiconductor P-channel повышают производительность сxем за счет снижения паразитныx индуктивностей и емкости.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 250 |
| Структура | P-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 35 |
| Typical Rise Time (ns) | 47 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 25000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 6.1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.1 10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 160 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.1 |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 3.9 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 240 25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 220 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 500 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |