IRFR8314TRPBF INFINEON
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072264998
- Артикул
- IRFR8314TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 7.49mm
- Series
- HEXFET
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 910 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.
Технические параметры
| Width | 7.49mm |
| Series | HEXFET |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 100µA |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 90A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA(DPAK) |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 36 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 4.5 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.1 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 179 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4945 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A(Tc) |