IRFR825TRPBF, Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002244578
- Артикул
- IRFR825TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- HEXFET Power MOSFET
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 304 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный силовой МОП-транзистор серии Infineon HEXFET, интегрированный в корпус типа DPAK (TO-252). Этот МОП-транзистор в основном используется в ИБП, SMPS и т.д.
Технические параметры
| Type: | HEXFET Power MOSFET |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IRFR825TRPBF SP001557136 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 119 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7.5 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.05 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Крутизна характеристики, S | 7.5 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 119 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |