Моя заявка (0)

IRFR7746TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

IRFR7746TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002244441
Артикул
IRFR7746TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Material
Si
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 70 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-контактный (2+Tab) TO-252AA T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-252
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-252AA
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyHEXFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
Typical Fall Time (ns)21
Typical Rise Time (ns)30
Особенностинизковольтные mosfets для сильноточных применений
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)99000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)59
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)59@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)7.9
Maximum Drain Source Voltage (V)75
Typical Turn-Off Delay Time (ns)34
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.7
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)59
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)3107@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)11.2@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Крутизна характеристики, S112
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация