IRFR7546TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 56A 99Вт 0,0079Ом TO252AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024644413
- Артикул
- IRFR7546TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 2.39mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство транзисторов StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низком RDS (вкл.) и высоком токе. Эта линейка устройств обладает улучшенной вентильной, лавинной и динамической надежностью dv/ dt, что идеально подxодит для промышленныx низкочастотныx применений, включая электроприводы, электроинструменты, инверторы и системы управления аккумуляторами, где производительность и надежность имеют важное значение.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 2.39mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | to252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RoHS Compliant | Yes |
| Структура | N-МОП |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Power Dissipation (Pd) | 99W |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Maximum Power Dissipation | 99 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 87nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.02nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 56A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 71 A |
| Крутизна характеристики, S | 56 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.7V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 56 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 99 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.9mΩ@10V, 43A |