Моя заявка (0)

HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V, 3-Pin DPAK IRFR7440TRPBF

HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V, 3-Pin DPAK IRFR7440TRPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014493873
Артикул
IRFR7440TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
2.39mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 40В 90A 140Вт 0,0024Ом TO252AA

Технические параметры

Width2.39mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN Channel
Forward Diode Voltage1.3V
Особенности-
Maximum Power Dissipation140 W
Typical Gate Charge @ Vgs89 nC @ 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage3.9V @ 100uA
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance2.4 mΩ
Maximum Continuous Drain Current180 A
Rds On - Drain-Source Resistance2.4mО© @ 90A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)140W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage40V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C90A
Крутизна характеристики, S280
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А180
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0019 Ом

Техническая документация