IRFR5505TRPBF, Транзистор P-MOSFET, полевой, -55В, -18А, 57Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061894498
- Артикул
- IRFR5505TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 21.3 nC
- V(DS)
- 55 V
- Width
- 6.22mm
- Series
- HEXFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFR5505TRPBF от известного производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD-монтажа. Данный транзистор характеризуется током стока до 18 А и напряжением сток-исток 55 В, что обеспечивает его надежную работу в различных электронных схемах. С мощностью 57 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,11 Ом обладает отличной эффективностью при коммутации нагрузок. Компактный корпус DPAK облегчает интеграцию транзистора в печатные платы, где пространство ограничено. Используя модель IRFR5505TRPBF в своих проектах, вы получаете надежный компонент от мирового лидера в производстве полупроводников. Подходит для широкого спектра применений, от питания до защиты схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 18 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 57 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.11 Корпус DPAK
Технические параметры
| Q(g) | 21.3 nC |
| V(DS) | 55 V |
| Width | 6.22mm |
| Series | HEXFET |
| Package | DPAK |
| Тип: | HEXFET Power MOSFET |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 0.42 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Длина: | 6.5 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 110 mOhm |
| Высота: | 2.3 mm |
| Ширина: | 6.22 mm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 18 A |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 16 ns |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Infineon |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Торговая марка: | Infineon / IR |
| Упаковка / блок: | TO-252-3 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 P-Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Qg - заряд затвора: | 32 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110mО© @ 9.6A,10V |
| Время нарастания: | 28 ns |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 57W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 18A |
| Полярность транзистора: | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 57 W |
| Id - непрерывный ток утечки: | 18 A |
| Размер фабричной упаковки: | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 55 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 4.2 S |